薄膜熱應力測量系統

薄膜熱應力測量系統

已經廣泛被著名高等學府（如：Harvard University 2套，Stanford University，Johns Hopkins University，Brown University 2套，Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute，西安交通大學，中國計量科學研究院，中科院微系統研究所，上海光機所等）、半導體和微電子制造商（如IBM.，Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC，Nissan ARC,Nichia Glass Corporation）等所采用；

薄膜熱應力測量系統

同類設備：
                薄膜應力測試儀（kSA MOS 薄膜應力測量系統，薄膜應力計）；
                薄膜殘余應力測試儀；
                實時原位薄膜應力儀(kSA MOS)；

技術參數：
kSA MOS Thermal-Scan Film Stress Tester, kSA MOS Film Stress Measurement System，kSA MOS Film Stress Mapping System;
   1.變溫設計：采用真空和低壓氣體保護，溫度范圍RT~1000°C；
   2.曲率分辨率：100km；
   3.XY雙向程序控制掃描平臺掃描范圍：up to 300mm（可選）；
   4.XY雙向掃描速度：大20mm/s；
   5.XY雙向掃描平臺掃描小步進/分辨率：2 μm ；
   6.樣品holder兼容：50mm, 75mm, 100mm, 150mm, 200mm, and 300mm直徑樣品；
   7.程序化控制掃描模式：選定區域、多點線性掃描、全面積掃描；
   8.成像功能：樣品表面2D曲率、應力成像，及3D成像分析；
   9.測量功能：曲率、曲率半徑、應力強度、應力、Bow和翹曲等； 
   10.溫度均勻度：優于±2攝氏度；

主要特點：
   1.技術：MOS多光束技術（二維激光陣列）；
   2.變溫設計：采用真空和低壓氣體保護，溫度范圍RT~1000°C；
   3.樣品快速熱處理功能；
   4.樣品快速冷卻處理功能；
   5.溫度閉環控制功能，保證溫度均勻性和精度;
   6.實時應力VS.溫度曲線；
   7.實時曲率VS.溫度曲線；
   8.程序化控制掃描模式：選定區域、多點線性掃描、全面積掃描； 
   9.成像功能：樣品表面2D曲率成像，定量薄膜應力成像分析； 
   10.測量功能：曲率、曲率半徑、薄膜應力、薄膜應力分布和翹曲等；
   11.氣體（氮氣、氬氣和氧氣等）Delivery系統；